英飞凌电源晶片的生产由目前8寸厂升级至12寸厂

　　继德州仪器（TI）积极导入12寸晶圆厂以扩大类比市场据有率后，在电源晶片市场同样举足轻重的英飞凌（Infineon）也已静静启动12寸晶圆量产研发计划，但愿将电源晶片的出产由目前8寸厂进级至12寸厂，以因应市场持续高涨的节能需求，并巩固既有市场地位。
　　台湾英飞凌副总裁暨执行董事詹启祥指出，超接面MOSFET将是未来功率半导体市场的主流。
　　台湾英飞凌副总裁暨执行董事詹启祥表示，该公司已在奥地利展开12寸晶圆量产研发工作，主要将用于超接合（SuperJunction）技术的金属氧化物半导体场效应电晶体（MOSFET）等功率半导体元件的出产，一旦相关发展成熟后，将可移植至马来西亚的晶圆厂进行量产。
　　因为超接面MOSFET可较传统平面式（Planar）MOSFET在相同尺寸的裸晶（Die）上实现更低的导通电阻与切换损失，进而晋升每单位面积的功率密度，因此，在节能意识抬头的市场环境中，重要性与日俱增，产品渗透渗出率也节节攀升。
　　不外，与平面式MOSFET比拟，目前超接面MOSFET产品价格仍偏高，所以英飞凌所推行的12寸晶圆量产计划，将有助进一步降低超接面MOSFET本钱，为该市场的腾飞预先作好预备。詹启祥分析，尽管目前传统平面式MOSFET的市场规模仍占大宗，但未来超接面MOSFET方案将会快速放量成长，两者将呈现显着的消长态势。
　　位于奥地利菲拉赫（Villach）的英飞凌奥地利分公司，是英飞凌极为重要的研发和制造中央，规模仅次于德国总部与马来西亚分公司，专精于应用在汽车和产业暨多重市场的能源效率方案开发，并致力以低转换损失的功率半导体实现系统的微型化和高能效发展；此外，感测器和非接触式安全晶片亦是另一研发重点。
　　詹启祥夸大，历经有线与无线事业部分的切割后，现今的英飞凌已处于最佳的发展状态，产品组合也更为聚焦，尤其是功率半导体、绝缘栅双极电晶体（IGBT）及碳化矽（SiC）萧特基二极体等方案，更是该公司最自豪的上风，对汽车和产业暨多重市场的拓展，将是莫大的助益。
　　据了解，英飞凌于2010年会计年度的研发用度高达3亿9,900万欧元，占总体营收比重的25%，较2009年会计年度的1亿9,500万欧元（占总营收约22%）大幅攀升。