深圳pcb抄板研究空穴传输层厚度对光电器件性能

    自从1987年文献[1]首次采用芳香二胺类衍生物为空穴传输材料，以8-羟基喹啉铝（Alq3）为发光层材料，制备出高效率、高和低电压的有机发光二极管（Organ Light-tting Diode，）以来，由于其功耗低、亮度高、视角宽、响应速度快等诸多特点而受到了极大的关注，有机电致发光（Emissive Layer，EL）的研究已经成为当前发领域的热点之一。人们从发光材料、制备工艺，到发光机理、器件结构等各个方面进行了大量的研究工作，器件的性能得到了明显提高，但是器件的发率和亮度等因素仍然是阻碍OLED商业化的瓶颈之一。

    为了改善发的光电性能，本文采用聚乙烯基咔唑（K）作为空穴传输材料，Alq3作为电致发光/电子传输材料，制备了结构为氧化铟锡（Indium Tin Oxide，ITO）/PVK/Alq3/Mg:Ag/Al的OLED器件，研究了空穴传输层厚度对器件光电性能的影响，优化了器件功能层的厚度匹配，获得了结构优化的OLED器件。

    1 实 验

    1.1 材料

    实验选用ITO导电玻璃（15 Ω/□）作为OLED器件的阳极材料，高纯度金属镁（99.9%）、银（99.9%）和铝（99.999%）作为器件的阴极材料，PVK作为器件的空穴传输层材料，Alq3作为器件的发光层兼电子传输层材料。这些有机材料均购自美国Aldirch公司，其分子结构式可参见文献[1-3]。

    1.2 ITO基片表面处理

    制备OLED器件前，ITO基片采用洗涤剂、丙酮溶液、NaOH溶液、乙醇溶液，及去离子水超声各清洗20min，然后利用高纯氮气吹干，置于OLED-V型有机多功能成膜设备的预处理室中，在250 V电压下进行氧气体处理约30 min。

    1.3 OLED器件制备

    将不同浓度（2、3、6、9 mg/ml）的PVK/氯仿溶液，用4 000 r/min的转速（时间为60 s）旋涂成膜于清洁的ITO基片上，得到不同厚度（4、15、30、60 nm）的PVK薄膜。对于旋涂获得的所有PVK薄膜在真空条件下烘烤大约30 min，以去除薄膜中的残留溶剂。最后在真空度为10?4 Pa时，采用热蒸发方式依次沉积有机层Alq3、合金阴极层Mg:Ag（10:1）及金属层Al。pcb抄板合金Mg:Ag利用双源共蒸技术制备而获得，蒸发速率和膜厚通过石英晶体振荡器监控。有机层和金属层的蒸发速率分别为0.2~0.4 nm/s和2~4nm/s，各功能层的厚度及所制作的OLED器件结构为ITO/PVK（0~60 nm）/Alq3（60 nm）/Mg:Ag（100 nm）/Al（150 nm）。

    为了改善发的光电性能，本文采用聚乙烯基咔唑（K）作为空穴传输材料，Alq3作为电致发光/电子传输材料，制备了结构为氧化铟锡（Indium Tin Oxide，ITO）/PVK/Alq3/Mg:Ag/Al的OLED器件，研究了空穴传输层厚度对器件光电性能的影响，优化了器件功能层的厚度匹配，获得了结构优化的OLED器件。

    1 实 验

    1.1 材料

    实验选用ITO导电玻璃（15 Ω/□）作为OLED器件的阳极材料，高纯度金属镁（99.9%）、银（99.9%）和铝（99.999%）作为器件的阴极材料，PVK作为器件的空穴传输层材料，Alq3作为器件的发光层兼电子传输层材料。这些有机材料均购自美国Aldirch公司，其分子结构式可参见文献[1-3]。

    1.2 ITO基片表面处理

    制备OLED器件前，ITO基片采用洗涤剂、丙酮溶液、NaOH溶液、乙醇溶液，及去离子水超声各清洗20min，然后利用高纯氮气吹干，置于OLED-V型有机多功能成膜设备的预处理室中，在250 V电压下进行氧气体处理约30 min。

    1.3 OLED器件制备

    将不同浓度（2、3、6、9 mg/ml）的PVK/氯仿溶液，用4 000 r/min的转速（时间为60 s）旋涂成膜于清洁的ITO基片上，得到不同厚度（4、15、30、60 nm）的PVK薄膜。对于旋涂获得的所有PVK薄膜在真空条件下烘烤大约30 min，以去除薄膜中的残留溶剂。最后在真空度为10?4 Pa时，采用热蒸发方式依次沉积有机层Alq3、合金阴极层Mg:Ag（10:1）及金属层Al。合金Mg:Ag利用双源共蒸技术制备而获得，蒸发速率和膜厚通过石英晶体振荡器监控。有机层和金属层的蒸发速率分别为0.2~0.4 nm/s和2~4nm/s，各功能层的厚度及所制作的OLED器件结构为ITO/PVK（0~60 nm）/Alq3（60 nm）/Mg:Ag（100 nm）/Al（150 nm）。